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电容 (铝 electrolytics 或者 tantalum 电容)
placement 是 不 作 核心的 作 这 高-频率 电容
placement, 但是 having 这些 电容 关闭 至 这 加载
它们 提供 是 preferable.
这 仅有的 核心的 小 信号 组件 是 这 软-开始
电容, C
SS
. Locate 这个 组件 关闭 至 SS 管脚 的 这
控制 IC 和 连接 至 地面 通过 一个 通过 放置 关闭
至 这 电容’s 地面 垫子. 降低 任何 泄漏 电流
paths 从 SS node, 自从 这 内部的 电流 源 是 仅有的
10
µ
一个.
一个 multi-layer 打印 电路 板 是 推荐. 图示
12 显示 这 连接 的 大多数 的 这 组件 在 这
转换器. 便条 那 这 单独的 电容 各自 可以
代表 numerous 物理的 电容. Dedicate 一个 固体的
layer 为 一个 地面 平面 和 制造 所有 核心的 组件
地面 连接 通过 vias 放置 作 关闭 至 这
组件 作 可能. dedicate 另一 固体的 layer 作 一个
电源 平面 和 破裂 这个 平面 在 小 islands 的
一般 电压 水平. ideally, 这 电源 平面 应当
支持 两个都 这 输入 电源 和 输出 电源 nodes. 使用
铜 filled polygons 在 这 顶 和 bottom 电路 layers 至
create 电源 islands 连接 这 filtering 组件
(输出 电容) 和 这 负载. 使用 这 remaining 打印
电路 layers 为 小 信号 线路.
组件 选择 指导原则
输出 电容 选择
这 输出 电容 为 所有 输出 应当 是 选择 至
准许 这 输出 电压 至 满足 这 动态 规章制度
(所需的)东西 的 起作用的 状态 运作 (s0, s1). 这 加载
瞬时 为 这 各种各样的 微处理器 系统’s
组件 将 需要 高 质量 电容 至 供应
这 高 回转 比率 (di/dt) 电流 要求. 因此, 它 是
推荐 那 电容 C
OUT1
和 C
OUT2
应当 是
选择 为 瞬时 加载 规章制度.
也, 在 这 转变 在 起作用的 和 睡眠 states,
那里 是 一个 短的 间隔 的 时间 在 这个 毫无 的 这
电源 通过 elements 是 组织 - 在 这个 时间 这
输出 电容 有 至 供应 所有 这 输出 电流. 这
输出 电压 漏出 在 这个 brief 时期 的 时间 能 是
近似 和 这 下列的 formula:
, 在哪里
∆
V
输出
- 输出 电压 漏出
等效串联电阻
输出
- 输出 电容 bank 等效串联电阻
I
输出
- 输出 电流 在 转变
C
输出
- 输出 电容 bank 电容
t
t
- 起作用的-至-睡眠 或者 睡眠-至-起作用的 转变 时间 (10
µ
s
典型)
自从 这 输出 电压 漏出 是 heavily 依赖 在 这
等效串联电阻 (相等的 序列 阻抗) 的 这 输出 电容
bank, 这 电容 应当 是 选择 至 维持 这
输出 电压 在之上 这 最低 容许的 规章制度 水平的.
输入 电容 选择
这 输入 电容 为 一个 HIP6501A 应用 必须 有
sufficiently 低 等效串联电阻 所以 那 这 输入 电压 做 不 插件
excessively 当 活力 是 transferred 至 这 输出
电容. 如果 这 atx 供应 做 不 满足 这
specifications, 确实 imbalances 在 这 atx’s
输出 和 这 hip6501a’s 规章制度 水平 可以 结果 在
一个 brisk 转移 的 活力 从 这 输入 电容 至 这
有提供的 输出. 当 transiting 从 起作用的 至 睡眠
states, 这个 phenomena 可以 结果 在 这 5vsb 电压
dropping 在下 这 por 水平的 (典型地 4.3v) 和
temporarily disabling 这 hip6501a. 这 解决方案 至 这个
潜在的 问题 是 至 使用 大 输入 电容 (在 5vsb)
和 一个 更小的 总的 联合的 等效串联电阻.
晶体管 选择/仔细考虑
这 hip6501a 典型地 需要 一个 p-频道 和 二
n-频道 电源 MOSFETs 和 二 双极 NPN 晶体管.
一个 一般 必要条件 为 选择 的 晶体管 为 所有
这 直线的 regulators/切换 elements 是 包装 选择
为 efficient 除去 的 热温. 这 电源 dissipated 在 一个 直线的
调整器/切换 元素 是:
选择 一个 包装 和 散热器 那 维持 这 接合面
温度 在下 这 比率 和 这 最大 预期的
包围的 温度.
Q1
这 起作用的 元素 在 这 2.5v/3.3v
MEM
输出 有
不同的 (所需的)东西 为 各自 的 这 二 电压 settings. 在
2.5v 系统 utilizing rdram (或者 电压-兼容)
记忆, q1 必须 是 一个 双极 npn 有能力 的 组织
这 最大 必需的 输出 电流 和 它 必须 有 一个
最小 电流 增益 (h
fe
) 的 100-150 在 这个 电流 和
0.7v v
CE
. 在 此类 系统, 这 2.5v 输出 是 管制
从 这 atx 3.3v 输出 当 在 一个 起作用的 状态. 在 3.3v
系统 (sdram 或者 兼容) q1 必须 是 一个 n-频道
场效应晶体管, 自从 这 场效应晶体管 serves 作 一个 转变 在
起作用的 states (s0, s1). 这 主要的 criteria 为 这 选择 的
这个 晶体管 是 输出 电压 budgeting. 这 最大
r
ds(在)
允许 在 最高的 接合面 温度 能 是
表示 和 这 下列的 等式:
, 在哪里
V
在 最小值
- 最小 输入 电压
V
输出 最小值
- 最小 输出 电压 允许
I
输出 最大值
- 最大 输出 电流
这 门 偏差 有 为 这个 场效应晶体管 是 大概 8v.
∆
V
输出
I
输出
等效串联电阻
输出
t
t
C
输出
------------------+
×
=
P
直线的
I
O
V
在
V
输出
–
()×
=
r
DS 在
()
最大值
V
在 最小值
V
OUT最小值
–
I
输出 最大值
------------------------------------------------------------=
HIP6501A
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