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资料编号:379937
 
资料名称:HJ127
 
文件大小: 31.55K
   
说明
 
介绍:
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
 
 


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hi-sincerity
微电子学 corp.
规格. 非. : he6017
issued 日期 : 1996.04.12
修订 日期 : 2003.01.17
页 非. : 1/3
HJ127 hsmc 产品 规格
HJ127
pnp 外延的 planar 晶体管
描述
高 直流 电流 增益
建造-在 一个 调节器 二极管 在 e-c
绝对 最大 比率
°
c)
最大 温度
存储 温度 ........................................................................................................-55~ +150
°
C
接合面 温度 ................................................................................................................+150
°
C
最大 电源 消耗
总的 电源 消耗 (tc=25
°
c)................................................................................................. 20 w
最大 电压 和 电流
bvcbo 集电级 至 根基 电压 ............................................................................................... -100 v
bvceo 集电级 至 发射级 电压 ............................................................................................ -100 v
bvebo 发射级至 根基电压 ...................................................................................................... -5 v
ic 集电级 电流......................................................................................................................... -5 一个
特性
(ta=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
BVCBO -100 - - V ic=-1ma, ie=0
BVCEO -100 - - V ic=-30ma, ib=0
BVEBO -5 - - V ie=-1ma, ic=0
ICBO - - -10 uA vcb=-100v, ie=0
IEBO - - -2 毫安 veb=-5v, ic=0
ICEX - - -10 uA vce=-100v, vbe(止)=-1.5v
*vce(sat)1 - - -2 V ic=-4a, ib=-16ma
*vce(sat)2 - - -4 V ic=-8a, ib=-80ma
*vbe(sat) - - -4.5 V ic=-8a, ib=-80ma
*vbe(在) - - -2.8 V vce=-4v, ic=-4a
*hFE1 1 - 12 K vce=-4v, ic=-4a
*hFE2 100 - - vce=-4v, ic=-8a
Cob - - 300 pF vcb=-10v, f=0.1mhz
*pulse 测试: 脉冲波 width
380us, 职责 循环
2%
darlington 图式
R2R1
C
E
B
至-252
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