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资料编号:380932
 
资料名称:HM624100HLJP-12
 
文件大小: 74.46K
   
说明
 
介绍:
4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hm624100h 序列
11
低 v
CC
数据 保持 特性
(ta = 0 至 +70
°
c)
这个 特性 是 有保证的 仅有的 为 l-版本.
参数 标识 最小值 Typ*
1
最大值 单位 测试 情况
V
CC
为 数据 保持 V
DR
2.0 V V
CC
CS
V
CC
– 0.2 v
(1) 0 v
Vin
0.2 v 或者
(2) V
CC
Vin
V
CC
– 0.2 v
数据 保持 电流 I
CCDR
50 800
µ
AV
CC
= 3 v, v
CC
CS
V
CC
– 0.2 v
(1) 0 v
Vin
0.2 v 或者
(2) V
CC
Vin
V
CC
– 0.2 v
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
t
CDR
0 ns 看 保持 波形
运作 恢复 时间 t
R
5 ——ms
便条: 1. 典型 值 是 在 v
CC
= 3.0 v, ta = +25˚c, 和 不 有保证的.
低 v
CC
数据 保持 定时 波形
V
CC
3.0 v
2.2 v
0 v
CS
t
CDR
t
R
V
CC
CS
V
CC
– 0.2 v
V
DR
数据 保持 模式
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