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switches - smt
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HMC224MS8
外形 绘画
v01.0300
gaas mmic t/r 转变
5.0 - 6.0 ghz
典型 应用 电路
注释:
1. 控制 输入 一个 和 b 能 是 驱动 直接地 和 cmos 逻辑
(hc) 和 v 的 3 至 8 伏特 应用 至 这 cmos 逻辑 门
和 至 管脚 4 的 这 rf 转变.
2. 设置 v 至 5 伏特 和 使用 hct 序列 逻辑 至 提供 一个 ttl
驱动器 接口.
3. 最高的 rf 信号 电源 能力 是 达到 和 v 设置 至
+10v. 不管怎样, 这 转变 将 运作 合适的 (但是 在
更小的 rf 电源 能力) 在 偏差 电压 向下 至 +3v.
4. rf 绕过: 做 不 使用 rf 绕过 电容 在 vdd, 一个 或者 b
端口. 电阻器 r1, r2, r3 = 100 ohms 应当 是 放置
关闭 至 这 vdd, 一个 和 b 端口. 使用 电阻 大小 0402 至
降低 parasitic inductances 和 capacitances.
5. 直流 blocking 电容 是 不 必需的 为 各自 rf 端口.
6. evaluation pcb 有.
注释:
1. 包装 身体 材料: 低 压力 injection 模塑的
塑料 silica 和 硅 impregnated.
2. 引线框架 材料: 铜 合金
3. 引线框架 镀层: sn/铅 焊盘
4. 维度 是 在 英寸 [millimeters].
5. 维度 做 不 包含 moldflash 的 0.15mm 每 一侧.
6. 维度 做 不 包含 moldflash 的 0.25mm 每 一侧.
7. 所有 地面 leads 必须 是 焊接 至 pcb rf 地面.
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