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产品 数据 薄板 rev. 02 — 26 april 2005 3 的 11
飞利浦 半导体
2N7002E
n-频道 trenchmos™ 场效应晶体管
图 1. normalized 总的 电源 消耗 作 一个
函数 的 焊盘 要点 温度
图 2. normalized 持续的 流 电流 作 一个
函数 的 焊盘 要点 温度
T
sp
=25
°
c; i
DM
是 单独的 脉冲波
图 3. safe 运行 范围; 持续的 和 顶峰 流 电流 作 一个 函数 的 流-源 电压
03aa17
0
40
80
120
0 50 100 150 200
T
sp
(
°
c)
P
der
(%)
03aa25
0
40
80
120
0 50 100 150 200
T
sp
(
°
c)
I
der
(%)
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
------------------------
100
%
×
=
I
der
I
D
I
D25 C
°
()
---------------------
100
%
×
=
03ai10
10
-2
10
-1
1
10
1 10 10
2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
直流
100 ms
10 ms
限制 r
DSon
= v
DS
/ i
D
1 ms
t
p
= 10
µ
s
100
µ
s