HSSR-7111_集成电路资料查询网

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图示 18. 输入-输出 瞬时 拒绝 测试 电路.
图示 19. 电压 补偿 测试 建制.
V
i-o
PULSE
发生器
+
(c
L
包含 探查 plus
fixture 电容 )
V
O
C
L
S
1
V
DD
V
在
B
一个
R
L
–
hssr-7110
2
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8
–
I
F
V
F
+
越过 在 v
i-o(顶峰)
是 至 是    10%
t
f
t
r
dt
dV
i-o
或者
=
(0.8) v
i-o(顶峰)
(0.8) v
i-o(顶峰)
t
f
t
r
90%
10%
90%
10%
V
i-o(顶峰)
V
o(止)
V
o(止)
(最小值)    3.25 v
S
1
在 一个 (v
F
= 0 v)
V
o(在)
(最大值)    0.8
V
o(在)
S
1
在 b (i
F
= 10 毫安)
V
OS
+
数字的 
NANOVOLTMETER
isothermal chamber
hssr-7110
2
3
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1
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7
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8
–
I
F
+
–

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10 图示 18. 输入-输出瞬时拒绝测试电路. 图示 19. 电压补偿测试建制. V i-o PULSE 发生器 + (c L 包含探查 plus fixture 电容 ) V O C L S 1 V DD V 在 B 一个 R L – hssr-7110 2 3 4 1 6 7 5 8 – I F V F + 越过在 v i-o(顶峰) 是至是 10% t f t r dt dV i-o 或者 = (0.8) v i-o(顶峰) (0.8) v i-o(顶峰) t f t r 90% 10% 90% 10% V i-o(顶峰) V o(止) V o(止) (最小值) 3.25 v S 1 在一个 (v F = 0 v) V o(在) (最大值) 0.8 V o(在) S 1 在 b (i F = 10 毫安) V OS + 数字的  NANOVOLTMETER isothermal chamber hssr-7110 2 3 4 1 6 7 5 8 – I F + –

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