©2001 仙童 半导体 公司 huf75639g3, huf75639p3, huf75639s3s, huf75639s3 rev. b
电容 规格
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
(图示 12)
- 2000 - pF
输出 电容 C
OSS
- 500 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
-65- pF
电的 规格
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 规格
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 56a - - 1.25 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 56a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 110 ns
反转 recovered 承担 Q
RR
I
SD
= 56a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 320 nC
典型 效能 曲线
图示 1. normalized 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 内容inuous 流 电流 vs
情况 温度
图示 3. normalized 最大 瞬时 热的 阻抗
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
电源 消耗 乘法器
0
0 25 50 75 100 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
17
5
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
D
, 流 电流 (一个)
0
10
20
30
40
50
60
25 50 75 100 125 150 17
5
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
单独的 脉冲波
Z
θ
JC
, normalized
热的 阻抗
t, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
2
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JC
x r
θ
JC
+ t
C
P
DM
t
1
t
2
职责 循环 - descending 顺序
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
huf75639g3, huf75639p3, huf75639s3s, huf75639s3
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