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资料编号:388273
 
资料名称:HUF75639S3S
 
文件大小: 370.04K
   
说明
 
介绍:
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
©2001 仙童 半导体 公司 huf75639g3, huf75639p3, huf75639s3s, huf75639s3 rev. b
图示 4. 顶峰 电流 capabILITY
图示 5. 向前 偏差 safe 运行 范围
便条: 谈及 至 仙童 应用 注释 an9321 和 一个9322.
图示 6. unclamped inductive 切换 能力
图示 7. 饱和 特性 图示 8. 转移 特性
典型 效能 曲线
(持续)
1000
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
100
T
C
= 25
o
C
i = i
25
175 - t
C
150
为 温度
在之上 25
o
c 减额 顶峰
电流 作 跟随:
V
GS
= 10v
I
DM
, 顶峰 电流 (一个)
t, 脉冲波 宽度 (s)
跨导
将 限制 电流
在 这个 区域
1
10
100
1000
1 10 100 20
0
T
J
= 最大值 评估
T
C
= 25
o
C
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
dss(最大值)
= 100v
10ms
1ms
100
µ
s
限制 用 r
ds(在)
范围 将 是
运作 在 这个
10
100
0.001 0.01 0.1
1
开始 t
J
= 25
o
C
I
, avalanche 电流 (一个)
t
AV
, 时间 在 avalanche (ms)
t
AV
= (l)(i
)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
)
如果 r = 0
如果 r
0
t
AV
= (l/r)ln[(i
*r)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
) +1]
开始 t
J
= 150
o
C
300
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
0
20
40
60
80
100
0123456
7
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 5v
V
GS
= 10v
V
GS
= 20v
V
GS
= 7v
V
GS
= 6v
职责 循环 = 0.5% 最大值
0
20
40
60
80
100
0 1.5 3.0 4.5 6.0 7.
5
-55
o
C
25
o
C
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
175
o
C
huf75639g3, huf75639p3, huf75639s3s, huf75639s3
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