©2001 仙童 半导体 公司 huf75639g3, huf75639p3, huf75639s3s, huf75639s3 rev. b
图示 9. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 10. normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 11. normalized 流 至 源 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 12. 电容 vs 流 至 源 电压
便条: 谈及 至 仙童 应用 注释 an7254 和 一个7260.
图示 13. 门 承担 波形 为 常量 门电流
典型 效能 曲线
(持续)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-80 -40 0 40 80 120 160 200
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
normalized 流 至 源
在 阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 56a
职责 循环 = 0.5% 最大值
0.6
0.8
1.0
1.2
-80 -40 0 40 80 120 160 200
门槛 电压
normalized 门
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
0.9
1.2
损坏 电压
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
1.0
1.1
-80 -40 0 40 80 120 160 200
I
D
= 250
µ
一个
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0 102030405060
C
ISS
C
RSS
C
OSS
c, 电容 (pf)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ c
GD
0
2
4
6
8
10
0 10203040506
0
qg, 门 承担 (nc)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
= 56a
I
D
= 37a
I
D
= 18a
波形 在
descending 顺序:
V
DD
= 50v
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