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资料编号:388826
 
资料名称:HVC131
 
文件大小: 22.8K
   
说明
 
介绍:
Silicon Epitaxial Planar Pin Diode for High Frequency Switching
 
 


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HVC131
2
绝对 最大 比率 (ta = 25
°
c)
Item 标识 单位
顶峰 反转 电压 V
RM
65 V
反转 电压 V
R
60 V
向前 电流 I
F
100 毫安
电源 消耗 P
d
150 mW
接合面 温度 Tj 125
°
C
存储 温度 Tstg -55 至 +125
°
C
电的 特性 (ta = 25
°
c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
反转 电流 I
R
0.1
µ
AV
R
= 60v
向前 电压 V
F
1.0 V I
F
= 10 毫安
电容 C 0.8 pF V
R
= 1v, f = 1 mhz
向前 阻抗 r
f
1.0
I
F
= 10 毫安, f = 100 mhz
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