首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:390505
 
资料名称:HY57V281620ET
 
文件大小: 126.51K
   
说明
 
介绍:
128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O
 
 


: 点此下载
  浏览型号HY57V281620ET的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号HY57V281620ET的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号HY57V281620ET的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号HY57V281620ET的Datasheet PDF文件第10页
10

11
浏览型号HY57V281620ET的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号HY57V281620ET的Datasheet PDF文件第13页
13
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. 1.1 / jan. 2005 11
同步的 dram memory 128mbit (8mx16bit)
hy57v281620e(l)t(p) 序列
交流 特性 ii
(交流 运行 情况 除非 否则 指出)
便条: 1. 一个 新 command 能 是 给 t
RRC
之后 自 refresh exit.
参数 标识
5 6 7 H
单位 便条
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
RAS
循环 时间 运作 t
RC
55 - 60 - 63 - 63 - ns
RAS
循环 时间 自动 refresh t
RRC
55 - 60 - 63 - 63 - ns
RAS
至 cas延迟 t
RCD
15 - 18 - 20 - 20 - ns
RAS
起作用的 时间 t
RAS
38.7 100K 42 100k 42 100k 42 120K ns
RAS
precharge 时间 t
RP
15 - 18 - 20 - 20 - ns
RAS
至 rasbank 起作用的 延迟 t
RRD
10 - 12 - 14 - 15 - ns
CAS
至 cas延迟 t
CCD
1-1-1-1-clk
写 command 至
数据-在 延迟
t
WTL
0 -0 -0 -0 -clk
数据-在 至 precharge command t
DPL
2-2-2-2-clk
数据-在 至 起作用的 command t
DAL
t
DPL
+ t
RP
dqm 至 数据-输出 hi-z t
DQZ
2-2-2-2-clk
dqm 至 数据-在 掩饰 t
DQM
0-0-0-0-clk
mrs 至 新 command t
MRD
2-2-2-2-clk
precharge 至 数据
输出 高-z
CAS
Latency=3
t
PROZ3
3-3-3-3-clk
CAS
Latency=2
t
PROZ2
2-2-2-2-clk
电源 向下 exit 时间 t
DPE
1-1-1-1-clk
自 refresh exit 时间 t
SRE
1-1-1-1-clk1
refresh 时间 t
REF
-64-64-64-64ms
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com