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资料编号:390627
资料名称:
HY62WT08081E
文件大小: 205.31K
说明
:
介绍
:
HY6
2WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY62WT08081E
序列
Rev
04
/
将
.
2001
7
定时 图解
读 循环 1
地址
OE
CS
数据
输出
数据 有效的
tRC
tACS
tCLZ
tOE
tOLZ
tAA
tOH
tOHZ
tCHZ
高-z
便条(读 循环):
1. t
CHZ
和 t
OHZ
是 定义 作 这 时间 在 这个 这 输出 达到 这 打开 电路 情况 和 arenot
关联 至
输出 电压 水平.
2. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, t
CHZ
最大值 是 较少 比 t
CLZ
最小值 两个都 为 一个 给 设备
和 从 设备 至 设备.
3. /我们 是 高 为 这 读 循环.
读 循环 2
tRC
tAA
数据 有效的
previous 数据
tOH
tOH
地址
数据
输出
便条(读
循环):
1. /我们 是 高 为 这 读 循环.
2. 设备 是 continuously 选择 /cs= v
il.
3. /oe =v
IL
.
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