Si4376DY
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2
文档 号码: 71934
s-31726—rev. c,18-8月-03
场效应晶体管 规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出).
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
I
D
= 250
一个
ch-1 1.0 3.0
VGate threshold 电压 V
gs(th)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250
一个
ch-2 0.8 2.0
V
门 身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v ch-1
100
nA门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
12 v ch-2
100
nA
V
DS
= 24 v V
GS
= 0 v
ch-1 1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v
ch-2 100
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 24 v V
GS
= 0 v T
J
= 85
C
ch-1 15
一个
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C
ch-2 2000
在 状态 流 电流
b
I
d( )
V
DS
= 5 v V
GS
= 10 v
ch-1 20
一个在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v
ch-2 20
一个
V
GS
= 10 v I
D
= 7 5 一个
ch-1 0.016 0.020
流 源 在 状态 阻抗
b
r
ds( )
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.5 一个
ch-2 0.015 0.019
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 4 5 v I
D
= 6 5 一个
ch-1 0.022 0.0275
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 6.5 一个
ch-2 0.018 0.023
向前 跨导
b
g
f
V
DS
= 15 v I
D
= 7 5 一个
ch-1 30
S向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 7.5 一个
ch-2 30
S
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= 1 一个 V
GS
= 0 v
ch-1 0.75 1.2
V二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= 1 一个, v
GS
= 0 v
ch-2 0.47 0.5
V
动态
一个
总的 门 承担 Q
g
ch-1 9 14
Total 门 承担 Q
g
ch-2 12.5 20
门 源 承担 Q
V
DS
= 15 v
V
GS
= 4 5 v I
D
= 7 5 一个
ch-1 3.8
nC
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=15 v,
V
GS
=4.5 v,I
D
=7.5 一个
ch-2 4.0
nC
门 流 承担 Q
d
ch-1 3.1
门-流 承担 Q
gd
ch-2 3.2
门 阻抗 R
ch-1 0.5 1.3 2.0
门 阻抗 R
g
ch-2 0.5 1.3 1.8
转变 在 延迟 时间 t
d( )
ch-1 12 18
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
ch-2 12 20
上升 时间 t
ch-1 11 17
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
ch-2 11 17
转变 止 延迟 时间 t
d( ff)
V
DD
= 15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
ch-1 27 40
ns转变-止 延迟 时间 t
d(止)
ch-2 40 66
ns
下降 时间 t
f
ch-1 9 14
下降 时间 t
f
ch-2 10 15
源 流 反转 恢复 时间 t I
F
= 1 7 一个 di/dt = 100 一个/
s
ch-1 35 55
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s
ch-2 28 45
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
肖特基 规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
向前 voltage 漏出 V
F
I
F
= 1.0 一个 0.47 0.50
VForward voltage 漏出 V
F
I
F
= 1.0 一个, t
J
= 125
C 0.36 0.42
V
V
r
= 30 v 0.004 0.100
最大 反转 泄漏 电流 I
rm
V
r
= 30 v, t
J
= 100
C 0.7 10
毫安最大 反转 泄漏 电流 I
rm
V
r
=-30 v, t
J
= 125
C 3.0 20
毫安
接合面 电容 C
T
V
r
= 10 v
50 pF
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