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资料编号:394160
 
资料名称:SI4376DY
 
文件大小: 113.34K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4376DY
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码: 71934
s-31726—rev. c,18-8月-03
典型 特性 (25
c 除非 指出) 场效应晶体管CHANNEL−1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0246810
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 7.5 一个
40
10
1
源-流 二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
-源-至-流 电压 (v) V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-源 电流 (一个)I
S
0
30
50
10
20
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
40
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
门槛 voltage
variance (v)V
gs(th)
T
J
-温度 (
c)
1 100 6001010
-1
10
-2
10
-3
safe 运行 范围, 接合面-至-foot
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
100 ms
-流 电流 (一个)I
D
0.1
限制
用 r
ds(在)
T
C
= 25
C
单独的 脉冲波
1 s
10 s
直流
10 ms
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