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资料编号:394169
 
资料名称:SI4462DY
 
文件大小: 45.25K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4462DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 72093
s-22098
rev. 一个, 02-dec-02
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
100
200
300
400
0 20406080
0.5
0.9
1.3
1.7
2.1
2.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
0123456
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
012345
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 100 v
I
D
= 1.5 一个
I
D
- 流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 1.5 一个
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
- 门-至-源 电压 (v)
Q
g
- 总的 门 承担 (nc)
c - 电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
- 接合面 温度 (
c)
(normalized)
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0246810
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 1.5 一个
5
0.1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
- 源-至-流 电压 (v) V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
- 源 电流 (一个)I
S
V
GS
= 6 v
V
GS
= 10 v
1
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