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资料编号:394172
 
资料名称:SI4426DY
 
文件大小: 65.17K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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Si4426DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71107
s-01041—rev. b, 15-将-00
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-3
  
  
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
源-流 二极管 向前 电压
V
SD
– 源-至-流 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
40
10
1
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
0 5 10 15 20 25
V
DS
= 10 v
I
D
= 8.5 一个
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 8.5 一个
门 承担
– 门-至-源 电压 (v)
Q
g
– 总的 门 承担 (nc)
V
GS
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
– 接合面 温度 (
c)
(normalized)
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
012345
I
D
= 8.5 一个
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0 10203040
0
800
1600
2400
3200
4000
0 4 8 12 16 20
在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
c – 电容 (pf)
C
rss
C
oss
C
iss
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
– 流 电流 (一个)
电容
V
GS
= 2.5 v
V
GS
= 4.5 v
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