Si4473DY
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 71613
s-50154—rev. c, 31-jan-05
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
−
250
一个
−
0.6 1.5 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
12
V
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
14 v, v
GS
= 0 v
−
1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
14 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 70
C
−
10
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
=
−
5 v, v
GS
=
−
4.5 v
−
30 一个
流 源 在 状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
13 一个 0.0088 0.011
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
−
2.5 v, i
D
=
−
11一个 0.013 0.016
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
−
17
v,I
D
=
−
13 一个
50 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
−
2.7 一个, v
GS
= 0 v
−
0.65
−
1.1 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
46 70
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=
−
10 v,
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
13 一个 9 nC
门-流 承担 Q
gd
13.2
门 阻抗 R
g
1.5 3.2 5.3
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
35 55
上升 时间 t
r
V
DD
=
−
15 v, r
L
= 10
45 70
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v,R
L
= 10
I
D
−
1 一个, v
GEN
=
−
4.5 v, r
g
= 6
160 240
ns
下降 时间 t
f
140 210
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=
−
2.1 一个, di/dt = 100 一个/
s 55 80
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 ratings 仅有的, 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
0
10
20
30
40
50
0246810
V
GS
= 5 thru 2.5 v
T
C
=
−
55
C
125
C
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
2 v
1.5 v