Si4435BDY_集成电路资料查询网

Vishay siliconix
额外的刺激 设备 模型 si4435bdy
规格 (t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况
Simulated
数据
量过的
数据
单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
−
250
µ
一个
1.9  v
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
=
−
5 v, v
GS
=
−
10 v
309  一个
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
9.1 一个
0.015 0.015
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
6.9 一个
0.025 0.025
Ω
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
−
10 v, i
D
=
−
9.1 一个
22 24 s
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
−
2.1 一个, v
GS
= 0 v
−
0.81
−
0.80
V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
32 33
门-源 承担 Q
gs
5.8 5.8
门-流 承担 Q
gd
V
DS
=
−
15 v, v
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
9.1 一个
8.6 8.6
nC
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
19 10
上升 时间 t
r
14 15
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
184 110
下降 时间 t
f
V
DD
=
−
15 v, r
L
= 15
Ω
I
D
≅
−
1 一个, v
GEN
=
−
10 v, r
G
= 6
Ω
35 70
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=
−
2.1 一个, di/dt = 100 一个/
µ
s
55 60
ns
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 subject 至 生产 测试.
 
2
 
www.vishay.com
文档 号码: 72297
s-51095

rev. b,13-六月-05

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Vishay siliconix 额外的刺激设备模型 si4435bdy 规格 (t J = 25 ° c 除非否则指出) 参数标识测试情况 Simulated 数据量过的数据单位静态的门门槛电压 V gs(th) V DS = v GS , i D = − 250 µ 一个 1.9 v 在-状态流电流一个 I d(在) V DS = − 5 v, v GS = − 10 v 309 一个 V GS = − 10 v, i D = − 9.1 一个 0.015 0.015 流-源在-状态阻抗一个 r ds(在) V GS = − 4.5 v, i D = − 6.9 一个 0.025 0.025 Ω 向前跨导一个 g fs V DS = − 10 v, i D = − 9.1 一个 22 24 s 二极管向前电压一个 V SD I S = − 2.1 一个, v GS = 0 v − 0.81 − 0.80 V 动态 b 总的门承担 Q g 32 33 门-源承担 Q gs 5.8 5.8 门-流承担 Q gd V DS = − 15 v, v GS = − 10 v, i D = − 9.1 一个 8.6 8.6 nC 转变-在延迟时间 t d(在) 19 10 上升时间 t r 14 15 转变-止延迟时间 t d(止) 184 110 下降时间 t f V DD = − 15 v, r L = 15 Ω I D ≅ − 1 一个, v GEN = − 10 v, r G = 6 Ω 35 70 源-流反转恢复时间 t rr I F = − 2.1 一个, di/dt = 100 一个/ µ s 55 60 ns 注释一个. 脉冲波测试; 脉冲波宽度 ≤ 300 µ s, 职责循环 ≤ 2%. b. 有保证的用设计, 不 subject 至生产测试. 2 www.vishay.com 文档号码: 72297 s-51095  rev. b,13-六月-05

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