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资料编号:394210
 
资料名称:SI4466DY
 
文件大小: 80.73K
   
说明
 
介绍:
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
si4466dy rev. 一个
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 挂载 表面 的 这
流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
JA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2.0%
一个) 50
°
c/w 当
挂载 在 一个 0.5 在
2
垫子 的 2 oz. 铜.
b) 105
°
c/w 当
挂载 在 一个 0.02 在
2
垫子 的 2 oz. 铜.
c) 125
°
c/w 当
挂载 在 一个 0.003 在
2
垫子 的 2 oz. 铜.
电的 特性
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
Drain-SourceBreakwnVoltage
V
GS
= 0V,I
D
= 250
µ
一个
20V
BV
DSS
T
J
BreakwnVoltage temper一个ture
Coefficient
I
D
= 250
µ
一个,Referencedto 25
°
C
29
mV/
°
C
I
DSS
零 gateVoltage drainCurrentV
DS
= 16V,V
GS
= 0 v1
µ
一个
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
=V
GS
, i
D
= 250
µ
一个
0.40.91.5V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个,Referencedto 25
°
C
-4
mV/
°
C
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 4.5 v, i
D
=15 一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
=15 一个,
T
J
=125
°
C
V
GS
= 2.5 v, i
D
=12 一个
0.006
0.009
0.008
0.0075
0.0130
0.0100
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 4.5 v, v
DS
= 5.0 v 25 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 5 v, i
D
= 15 一个 70 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 4700 pF
C
oss
输出 电容 850 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
310 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 20 32 ns
t
r
转变-在 上升 时间 27 44 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 95 133 ns
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
= 10 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 4.5 v, r
GEN
= 6
35 56 ns
Q
g
总的 门 承担 47 66 nC
Q
gs
门-源 承担 7 nC
Q
gd
门-流 承担
V
DS
= 10 v, i
D
= 15 一个,
V
GS
= 5 v,
10.5 nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 2.1 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= 2.1 一个
(便条 2)
0.65 1.2 V
I
GSSR
Gate–Body leakage,Reverse
V
GS
= –12V,
V
DS
=0V
–100
nA
I
GSSF
Gate–Body leakage,ward
V
GS
= 12V, V
DS
= 0V
100
nA
Si4466DY
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