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资料编号:394210
 
资料名称:SI4466DY
 
文件大小: 80.73K
   
说明
 
介绍:
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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si4466dy rev. 一个
典型 特性
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压.
图示 5. 转移 特性.
图示 6. 身体 二极管 向前 电压
变化 和 源 电流
和 温度.
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 4. 在-阻抗 变化
和 门-至-源 电压.
0.5
1
1.5
2
2.5
0 1020304050
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= 2.0v
3.0v
2.5v
4.5v
0
10
20
30
40
50
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 4.5v
3.0v
2.5v
2.0v
1.5v
0
0.006
0.012
0.018
0.024
0.03
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在 阻抗 (ohm)
I
D
= 7.0a
T
J
= 125
o
C
25
o
C
0
10
20
30
40
50
0.5 1 1.5 2 2.5
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
= 5v
T
J
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= 15a
V
GS
= 4.5v
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
V
SD
, 身体 二极管 电压 (v)
I
S
, 反转 流 电流 (一个)
V
GS
= 0
T
J
=125
o
C
25
o
C
125
o
C
Si4466DY
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