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资料编号:394222
 
资料名称:SI4539
 
文件大小: 240.37K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v,I
D
= 250 µa n-ch 30 V
V
GS
= 0 v,I
D
= -250 µa
p-ch -30 V
BV
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 I
D
=250 µa, 关联 至 25
o
C n-ch 30 mv/
o
C
I
D
=-250 µa, 关联 至 25
o
C
p-ch -25
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
=24v,V
GS
= 0 v n-ch 1 µ一个
V
DS
= -24v,V
GS
= 0 v
p-ch -1 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20v,V
DS
= 0 v 所有 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20v,V
DS
= 0 v
所有 -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
n-ch 1 1.7 3 V
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
p-ch -1 -1.5 -3 V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压温度 系数
I
D
=250 µa, 关联 至 25
o
C
n-ch -4.4
mv/
o
C
I
D
=-250 µa, 关联 至 25
o
C
p-ch 3.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 10v,I
D
= 7.0 一个
n-ch 0.024 0.028
V
GS
= 4.5v,I
D
= 6.0一个 0.035 0.04
V
GS
= -10v,I
D
= -5.0一个
P-ch 0.044 0.052
V
GS
= -4.5v,I
D
= - 4.0一个 0.068 0.08
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
=10v, v
DS
=5V
n-ch 20 一个
V
GS
= -10v, v
DS
= -5V p-ch -20
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 5 v,I
D
= -7一个
n-ch 15 S
V
DS
= -5v, i
D
= -5 一个 p-ch 8 S
动态特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
n-ch 650 pF
p-ch 730
C
oss
输入 电容 n-ch 345 pF
V
DS
= -15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
p-ch 400
C
rss
反转 转移 电容 n-ch 90 pF
p-ch 90
Si4539DYrev. 一个
Si4
539
DY
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