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资料编号:394222
 
资料名称:SI4539
 
文件大小: 240.37K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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Si4539DYrev. 一个
典型 电的 特性: p-频道
图示 11. 在-区域 特性.
图示 12. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
图示 13. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 15. 转移 特性.
图示 14.在-阻抗
变化
门-to-源 电压.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = 10v
GS
i = 5a
D
0 1 2 3 4 5 6
0
6
12
18
24
30
- v , 流-源 电压 (v)
-i , 流-源 电流 (一个)
DS
D
- 5.0v
-7.0v
-5.5v
-4.5v
v = -10v
GS
-4.0v
-3.5v
-3.0v
0 5 10 15 20
0.8
1.2
1.6
2
2.4
- i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = - 3.5v
GS
D
r , normalized
ds(在)
-5.0 v
-8.0v
-6.0v
-4.5 v
-10v
-4.0 v
0 2 4 6 8 10
0
0.05
0.1
0.15
0.2
-v , 门 至 源 电压 (v)
GS
r , 在-阻抗 (ohm)
ds(在)
125°C
25°C
i = -2.0a
D
0 2 4 6 8 10
0
10
20
30
40
50
-v , 门 至 源 电压 (v)
- i , 流 电流 (一个)
v = -5v
DS
GS
D
t = -55°c
J
125°C
25°C
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
60
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
t = 125°c
J
图示 16. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
Si4539DY
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