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资料编号:394222
 
资料名称:SI4539
 
文件大小: 240.37K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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Si4539DYrev. 一个
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , 时间 (秒)
瞬时 热的 阻抗
r(t), normalized 有效的
1
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
职责 循环, d = t /t
1 2
t - t = p * r (t)
θ
JA
一个
J
p(pk)
t
1
t
2
r (t) = r(t) * r
r =
135
°c/w
θ
JA
θ
JA
θ
JA
图示 21. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 便条 1.
瞬时 热的回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
典型 热的特性: n &放大; p-频道
(持续)
Si4539DY
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