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资料编号:394239
 
资料名称:SI4719CY
 
文件大小: 80.24K
   
说明
 
介绍:
Battery Disconnect Switch
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4719CY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70669
s-59510—rev. b, 31-8月-98
  
电压 关联 至 地
V
S
, v
D
一个
–0.3 v 至 32 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
SD
–0.3 v 至 30 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
IN1
, v
IN2
–0.3 v 至 15 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
GS
20 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储 温度 –55 至 150
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
电源 消耗
b
(t = 10 秒) 2.4 w. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(t = 稳步的 状态) 1.5 w. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注释
一个. V
SD
30 v
直流
b. 设备 挂载 和 所有 leads 焊接 至 1” x 1” fr4 和 laminated
铜 pc 板.
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
  
V
S
, v
D
6 v 至 30 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
IN1
, v
IN2
0 v 至 13.2 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
I
DS
0 一个 至 6 一个. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
运行 温度 范围 –25 至 85
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
接合面 温度 –25 至 150
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

P Sbl S ifi T C di i
限制
参数 标识 明确的 测试 情况
温度
一个
最小值
b
Typ
c
最大值
b
单位
在-阻抗 r
DS
V
S
= 10 v, i
D
= 1 一个, v
= h 房间 0.028 0.040
泄漏 电流 I
ds(止)
V
DS
= 10 v 房间 1
一个
电源 消耗量
I
S
(止)
V
S
=21 v
房间 1
一个
电源 消耗量
I
S
(在)
V
S
= 21 v
房间 1.0 10
输入 电压 低 V
INL
V
S
=10 v 和 v
S
=21 v
全部 3.3
V
输入 电压 高 V
INH
V
S
= 10 v 和 v
S
= 21 v
全部 4.5
V
输入 电流 I
INH
V
= 5.0 v 房间 25 50
一个
转变-在 延迟
tD S
t
在(在)
V
S
=10 v, r
L
=5
, 测试 电路 1
房间 2.2 2.9 10
转变-止 延迟
至 d 或者 s
t
止(在)
V
S
= 10 v, r
L
= 5
, 测试 电路 1
房间 1.15 2
s
破裂-在之前-制造
d
t
BBM
房间 1.15
s
上升 时间 t
上升
房间 0,73 1.4
下降 时间 t
下降
房间 24 50 ns
电压 横过 管脚 6 和 7 V
GS
V
S
= 30 v 房间 10.2 18
V
向前 二极管 V
SD
I
D
= –1 一个 房间 1.1
V
注释
一个. 房间 = 25
c, 全部 = 作 决定 用 这 运行 温度 后缀.
b. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大.
c. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
d. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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