飞利浦 半导体
SI4884
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 12 april 2002 3 的 12
9397 750 09582
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V
GS
≥
5V
图 1. normalized 总的 电源 消耗 作 一个
函数 的 焊盘 要点 温度.
图 2. normalized 持续的 流 电流 作 一个
函数 的 焊盘 要点 温度.
T
sp
=25
°
c; i
DM
是 单独的 脉冲波
图 3. safe 运行 范围; 持续的 和 顶峰 流 电流 作 一个 函数 的 流-源 电压.
03aa17
0
40
80
P
der
120
0
50 100 150
200
T
sp
(ºc)
(%)
03aa25
0
40
80
120
0
50 100
150
200
T
sp
(
o
c)
I
der
(%)
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D
I
D25C
°
()
-------------------
100
%
×
=
限制 r
DSon
= v
DS
/ i
D
直流
t
p
=
100
µ
s
1 ms
10 ms
V
DS
(v)
10
2
10
1
10
-1
I
D
(一个)
10
2
10
10
-1
1
10
-2
003aaa160
10
µ
s
1 s