飞利浦 半导体
SI4884
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 12 april 2002 5 的 12
9397 750 09582
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5. 特性
表格 4: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个; v
GS
=0V 30--v
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 250
µ
一个; v
DS
=V
GS
; 图示 9 1- 2V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=24v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C --1
µ
一个
T
j
= 100
°
C --5
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
= 0 V - 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 4.5 v; i
D
=10a;图示 7 和 8 - 11 16.5 m
Ω
V
GS
= 10 v; i
D
= 12 一个; - 8.9 10.5 m
Ω
动态 特性
g
fs
向前 跨导 V
DS
=15v; i
D
=10a; - 34 - S
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 15 一个; v
DD
=16v; v
GS
=5v;图示 13 - 17.6 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 4 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 4.4 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 16 v; f = 1 mhz; 图示 11 - 1335 - pF
C
oss
输出 电容 - 391 - pF
C
rss
反转 转移 电容 - 190 - pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=16v; r
D
=10
Ω
; v
GS
= 10 V - 10.6 - ns
t
r
上升 时间 - 11.7 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 37 - ns
t
f
下降 时间 -19-ns
源-流 (反转) 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 1 一个; v
GS
=0v;图示 12 - 0.7 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 2.3 一个; di
S
/dt =
−
100 一个/
µ
s; v
GS
=0V - 70 - ns