飞利浦 半导体
SI4884
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 02 — 12 april 2002 6 的 12
9397 750 09582
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T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流 源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
V
GS
= 2.2 v
I
D
(一个)
16
12
8
4
0
2.5 v
2.8 v
5 v
4 v
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
V
DS
(v)
003aaa162
20
16
12
8
4
0
I
D
(一个)
V
GS
(v)
01
2
4
3
150
ο
C
25
ο
C
003aaa163
R
DSon
(m
Ω
)
40
0
160
200
120
80
I
D
(一个)
1604812
V
GS
= 2.5 v
2.2 v
4 v
5 v
003aaa164
03aa27
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60 0 60 120 180
T
j
(
o
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25
°
C
()
------------------------------
=