特性
little foot
加
电源 场效应晶体管
100% r
g
测试
Si4812DY
vishay siliconix
文档号码: 71775
s-41426—rev. g, 26-jul-04
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
场效应晶体管 产品 summary
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
30
0.018 @ v
GS
= 10 v 9
30
0.028 @ v
GS
= 4.5 v 7.3
肖特基 产品 summary
V
DS
(v)
V
SD
(v)
二极管 向前 电压
I
F
(一个)
30 0.50 v @ 1.0 一个 1.4
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
n-频道 场效应晶体管
G
S
肖特基 二极管
D
订货 信息:
Si4812DY
si4812dy-t1 (和 tape 和 卷轴)
si4812dy—e3 (含铅的 (铅)-自由)
si4812dy-t1—e3 (含铅的 (铅)-free 和 录音带 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
限制
参数 标识
10 秒 稳步的 状态
单位
流-源 voltage (场效应晶体管)
V
DS
30
反转 电压 (肖特基)
V
DS
30
V
门-源 电压 (场效应晶体管) V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c) (场效应晶体管)
一个,
b
T
一个
= 25
C
I
D
9
6.9
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c) (场效应晶体管)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
7.5 5.6
搏动 流 电流 (场效应晶体管) I
DM
50
一个
持续的 源 电流 (场效应晶体管 二极管 传导)
一个,
b
I
S
2.1 1.2
一个
平均 foward 电流 (肖特基) I
F
1.4 0.8
搏动 foward 电流 (肖特基) I
FM
30
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个
b
T
一个
= 25
C 2.5 1.4
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
1.6 0.9
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个
b
T
一个
= 25
C
P
D
2.0 1.2
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个,
b
T
一个
= 70
C 1.3 0.8
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 设备 标识 典型 最大 单位
M i J 德州仪器 t 一个 bi t (t 10 )
一个
场效应晶体管 40 50
最大 接合面-至-包围的 (t
10 秒)
一个
肖特基
R
50 60
c/w
最大 接合面 至 包围的 (t 稳步的 状态)
一个
场效应晶体管
R
thJA
72 90
c/w
最大 接合面-至-包围的 (t = 稳步的 状态)
一个
肖特基 85 100
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. t
10 秒.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网:http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm