Si4812DY
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2
文档 号码: 71775
s-41426—rev. g, 26-jul-04
场效应晶体管 + 肖特基 规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1 3 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 0.004 0.100
零 门 电压 流 电流
(场效应晶体管 + 肖特基)
I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 100
C 0.7 10
毫安
(场效应晶体管 + 肖特基)
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 3.0 20
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10 v 20 一个
流 源 在 状态 阻抗
一个
r
V
GS
= 10 v, i
D
= 9 一个 0.012 0.018
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
=
7.3 一个
0.019 0.028
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 9 一个 23 S
肖特基 二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.0 一个, v
GS
= 0 v 0.45 0.50
V肖特基 二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.0 一个, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 0.33 0.42
V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
13 24
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 5 v, i
D
= 9 一个 4 nC
门-流 承担 Q
gd
5.7
门 阻抗 R
g
0.2 2.4
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
16 25
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
10 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
g
= 6
35 50
ns
下降 时间 t
f
13 20
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.0 一个, di/dt = 100 一个/
s 35 70
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.