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资料编号:394289
 
资料名称:SI4880DY
 
文件大小: 54.79K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
 
 


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Si4880DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 70857
s-60711—rev. 一个, 01-二月-99
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-3
  
  
0
10
20
30
40
50
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
500
1000
1500
2000
2500
0 6 12 18 24 30
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
0
10
20
30
40
50
0246810
0
2
4
6
8
10
0 8 16 24 32 40
0
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0 1020304050
V
GS
= 10 thru 4 v
T
C
= 125
C
–55
C
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 v
I
D
= 13 一个
I
D
– 流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 13 一个
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
3 v
25
C
输出 特性 转移 特性
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
– 门-至-源 电压 (v)
Q
g
– 总的 门 承担 (nc)
c – 电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
– 接合面 温度 (
c)
(normalized)
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
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