Si4940DY
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 71649
s-04277
—
rev. b, 16-jul-01
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
V
DS
= 32 v, v
GS
= 0 v 1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 32 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C 5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
30 一个
一个
V
GS
= 10
v,I
D
= 5.7 一个
0.03 0.036
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 4.4 一个 0.048 0.059
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 5.7 一个 12 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.8 一个, v
GS
= 0 v 0.8 1.1 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
9.0 14
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 20 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 5.7 一个 1.8 nC
门-流 承担 Q
gd
2.3
门 阻抗 R
G
1.0
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
7 15
上升 时间 t
r
V
DD
= 20 v, r
L
= 20
12 25
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 20 v, r
L
= 20
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
15 30
ns
下降 时间 t
f
8 15
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.8 一个, di/dt = 100 一个/
s 35 70
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
0
5
10
15
20
25
30
0123456
0
5
10
15
20
25
30
012345
V
GS
= 10 thru 6 v
T
C
= 125
C
–
55
C
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
–
流-至-源 电压 (v)
–
流 电流 (一个)I
D
V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
–
流 电流 (一个)I
D
4 v
3 v
5 v
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