特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
先进的 高 cell 密度 处理
产品
加载 切换
Si4933DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71980
s-22122—rev. b, 25-十一月-02
www.vishay.com
1
双 p-频道 12-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.014 @ v
GS
= -4.5 v
-9.8
-12
0.017 @ v
GS
= -2.5 v - 8.9
0.022 @ v
GS
= -1.8 v - 7.8
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
1
G
1
D
1
p-频道 场效应晶体管
S
2
G
2
D
2
p-频道 场效应晶体管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
-12
门-源 电压 V
GS
8
V
一个
T
一个
= 25
C
- 9.8
-7.4
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
-7.8 -5.9
搏动 流 电流 I
DM
-30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
-1.7 -0.9
T
一个
= 25
C 2.0 1.1
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.3 0.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
t
10 秒 45 62.5
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
85 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
26 35
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1 ” x 1” fr4 板.