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资料编号:39449
资料名称:
2SK1341
文件大小: 48.92K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1341
6
5,000
10
反转 流 电流 i
DR
(一个)
反转 恢复 时间 t
rr
yfs
(ns)
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
0.1
2,000
1,000
500
200
100
50
0.2
0.5
1
2
5
di/dt = 100 一个/
µ
s, ta = 25°c
V
GS
= 0
脉冲波 测试
10,000
20
50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
电容 c (pf)
10
30
40
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
0
1,000
100
10
Crss
Coss
Ciss
V
GS
= 0
f = 1 mhz
1,000
40
100
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v
DS
(v)
动态 输入 特性
800
200
20
60
800
400
600
20
16
4
0
8
12
门 至 源 电压 v
GS
(v)
V
DD
= 250 v
400 v
600 v
I
D
= 6 一个
V
DS
V
GS
600 v
400 v
V
DD
= 250 v
500
10
流 电流 i
D
(一个)
切换 时间 t (ns)
0.1
切换 特性
200
100
50
20
10
5
0.2
0.5
1
2
5
V
GS
= 10 v, v
DD
30 v
pw = 2
µ
s, 职责 < 1%
=
.
.
t
d (止)
t
f
t
d (在)
t
r
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