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文档 号码: 72768
s-51566-rev. d, 07-十一月-05
vishay siliconix
Si7636DP
典型 特性
25 °c, 除非 指出
门槛 电压
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
µ
一个
variance (v)V
gs(th)
T
J
– 温度 (
˚
c)
单独的 脉冲波 电源, 接合面-至-包围的
0.001
0
1
80
100
20
100.01
时间 (秒)
60
40
电源 (w)
0.1
safe 运行 范围, 接合面-至-情况
100
1
0.01 1 10 100
0.01
10
1 s
0.1
T
C
= 25
˚
C
单独的 脉冲波
10 ms
100 ms
直流
0.1
*limited 用 r
ds(在)
10 s
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
*V
GS
> 最小 v
GS
在 这个 r
ds(在)
是
指定
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
10
–3
10
–2
1 10 60010
–1
10
–4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
S
quare 波 脉冲波 持续时间(秒)
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 52
˚
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
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