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手机版
资料编号:39515
资料名称:
2SK1299L
文件大小: 48.92K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1299(l), 2sk1299(s)
5
流 至 源 饱和 电压
vs. 门 至 源 电压
6
门 至 源 电压 v
GS
(v)
842
010
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.4
流 至 源 饱和 电压
V
DS
(在)
(v)
脉冲波 测试
I
D
= 5 一个
2 一个
1 一个
2
流 电流 i
D
(一个)
510.5
20
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.1
0.05
10
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 流 电流
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
DS
(在)
(
Ω
)
V
GS
= 4 v
10 v
脉冲波 测试
80
情况 温度 t
C
(°c)
120400
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
–40
0
160
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 温度
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
DS
(在)
(
Ω
)
I
D
= 5 一个
脉冲波 测试
V
GS
= 4 v
10 v
2 一个
1 一个
5 一个
2 一个
1 一个
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
10
5
2
1
0.5
0.2
0.05
1.0
0.2
0.5
1
5
流 电流 i
D
(一个)
2
向前 转移 admittance
yfs
(s)
0.1
T
C
= –25°c
V
DS
= 10 v
脉冲波 测试
25°C
75°C
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