关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:39516
资料名称:
2SK1299S
文件大小: 48.92K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1299(l), 2sk1299(s)
6
500
200
100
50
20
10
5
0.1
0.2
1
10
反转 流 电流 i
DR
(一个)
2
0.5
5
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
反转 恢复 时间 t
rr
(ns)
di/dt = 50 一个/
µ
s
V
GS
= 0, ta = 25°c
脉冲波 测试
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
1000
100
10
1
电容 c (pf)
01020
50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
30
40
V
GS
= 0
f = 1 mhz
Ciss
Coss
Crss
200
160
120
80
40
08
24
32
门 承担 qg (nc)
16
20
16
12
8
4
动态 输入 特性
流 至 源 电压 v
DS
(v)
门 至 源 电压 v
GS
(v)
40
0
V
DS
V
GS
V
DD
= 80 v
50 v
25 v
I
D
= 3 一个
V
DD
= 25 v
50 v
80 v
切换 特性
500
200
100
50
10
5
0.1
0.2
1
10
流 电流 i
D
(一个)
2
0.5
5
切换 时间 t (ns)
20
t
d
(止)
V
GS
= 10 v, v
DD
pw = 2
µ
s, 职责 < 0.1 %
t
d (在)
t
f
t
r
=
.
.
30 v
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com