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资料编号:39516
 
资料名称:2SK1299S
 
文件大小: 48.92K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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2sk1299(l), 2sk1299(s)
7
10
8
6
4
2
0 0.4 1.2
1.6
2.0
源 至 流 电压 v
SD
(v)
0.8
反转 流 电流 vs.
源 至 流 电压
反转 流 电流 i
DR
(一个)
V
GS
= 0, – 5 v
脉冲波 测试
V
GS
= 10 v
5 v
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
10
µ
1 m
10 m
100 m
脉冲波 宽度 pw (s)
100
µ
110
normalized 瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
normalized 瞬时 热的 阻抗
γ
s (t)
θ
ch–c
(t) =
γ
s
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 6.25°c/w, t
C
= 25°c
PW
d =
PW
T
T
T
C
= 25°c
P
DM
d = 1
0.5
0.05
1 shot 脉冲波
0.2
0.1
0.02
0.01
vin 监控
vout 监控
R
L
50
vin = 10 v
d.u.t
.
V
DD
= 30 v
.
切换 时间 测试 电路
Vin
10 %
90 %
90 %
90 %
10 %
t
d (在)
t
d (止)
t
r
t
f
Vout
10 %
Wavewforms
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