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© 1998 硅 存储 技术, 公司 329-09 11/98
16 megabit multi-目的 flash
sst39vf160q / sst39vf160
进步 信息
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T
能
6: s
YSTEM
I
NTERFACE
I
NFORMATION
地址 数据 数据
1BH 0027H vdd 最小值 (程序/擦掉)
dq4-dq7: 伏特, dq3-dq0: millivolts
1CH 0036H vdd 最大值 (程序/擦掉)
dq4-dq7: 伏特, dq3-dq0: millivolts
1DH 0000H vpp 最小值 (00h = 非 vpp 管脚)
1EH 0000H vpp 最大值 (00h = 非 vpp 管脚)
1FH 0003H 典型 时间 输出 为 文字 程序 2
N
µs
20H 0000H 典型 时间 输出 为 最小值 大小 缓存区 程序 2
N
µs
(00h = 不 supported)
21H 0001H 典型 时间 输出 为 单独的 sector 擦掉 2
N
ms
22H 0009H 典型 时间 输出 为 碎片 擦掉 2
N
ms
23H 0001H 最大 时间 输出 为 文字 程序 2
N
时间 典型
24H 0000H 最大 时间 输出 为 缓存区 程序 2
N
时间 典型
25H 0001H 最大 时间 输出 为 单独的 sector 擦掉 2
N
时间 典型
26H 0001H 最大 时间 输出 为 碎片 擦掉 2
N
时间 典型
329 pgm t6.2
T
能
7: d
EVICE
G
EOMETRY
I
NFORMATION
地址 数据 数据
27H 0015H 设备 大小 = 2
N
字节
28H 0001H flash 设备 接口 描述 (谈及 至 cfi 发行 100)
29H 0000H
2AH 0000H 最大 号码 的 字节 在 multi-字节 写 = 2
N
(00h = 不 supported)
2BH 0000H
2CH 0002H 号码 的 擦掉 块 regions 在里面 设备
2DH 00FFH 擦掉 块 区域 1 信息
2EH 0001H (谈及 至 这 cfi 规格 或者 发行 100)
2FH 0010H y = 511 + 1 = 512 sectors (01ff = 511)
30H 0000H z = 16 x 256 字节 = 4k 字节/sector (0010h = 16)
31H 001FH 擦掉 块 区域 2 信息
32H 0000H (谈及 至 这 cfi 规格 或者 发行 100)
33H 0000H y = 31 + 1 = 32 blocks (001f = 31)
34H 0001H z = 256 x 256 字节 = 64k 字节/块 (0100h = 256)
35H 0000H 擦掉 块 区域 3 信息
36H 0000H (谈及 至 这 cfi 规格 或者 发行 100)
37H 0000H
38H 0000H
39H 0000H 擦掉 块 区域 3 信息
3AH 0000H (谈及 至 这 cfi 规格 或者 发行 100)
3BH 0000H
3CH 0000H
329 pgm t7.3
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