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资料编号:396841
资料名称:
IRG4IBC20W
文件大小: 154.11K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4IBC20W
www.irf.com
3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(加载 电流 = i
RMS
的 基本的)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
1
10
100
1
10
v , 集电级-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
CE
C
v = 15v
20µs 脉冲波 宽度
GE
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
1
10
100
5
6
7
9
10
11
v , 门-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
GE
C
v = 50v
5µs 脉冲波 宽度
CC
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
0
5
10
15
20
25
0.1
1
10
100
1000
f, f
re
q
uenc
y
(
kH
z
)
一个
60% 的 评估
voltag
e
完美的 二极管
正方形的 波:
为 两个都:
职责 循环: 50%
t = 12
5
°
C
t = 90
°
C
门 驱动 作 指定
下沉
J
triangular 波:
clamp 电压:
80% 的 评估
电源 d
issipation = 13w
加载 电流 ( 一个 )
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