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资料编号:396848
资料名称:
IRG4IBC30KD
文件大小: 195.54K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4IBC30KD
www.irf.com
7
图. 14
- 典型 反转 恢复 vs. di
f
/dt
图. 15
- 典型 恢复 电流 vs. di
f
/dt
图. 16
- 典型 贮存 承担 vs. di
f
/dt
图. 17
- 典型 di
(rec)m
/dt vs. di
f
/dt
0
200
400
600
100
1000
f
d
i /dt -
(
一个/
µ
s
)
RR
q - (n
c)
i =
6.0
一个
i =
1
2
一个
i =
24
一个
v = 200v
t = 125
°
C
t = 25
°
C
R
J
J
F
F
F
10
100
1000
10000
100
1000
f
d
i /d
t -
(
一个/
µ
s
)
di(rec)m
/dt - (一个/µ
s)
i =
12
一个
i =
2
4A
i =
6.0
一个
F
F
F
v = 200v
t = 125
°
C
t = 25
°
C
R
J
J
0
40
80
120
160
100
1000
f
d
i /d
t -
(
一个/
µ
s
)
t - (ns)
rr
i =
24
一个
i =
1
2
一个
i = 6.0a
F
F
F
v = 200v
t = 125
°
C
t = 25
°
C
R
J
J
1
10
100
100
1000
f
di /dt -
(
一个/
µ
s
)
i - (一个
)
IR
R
M
i =
6
.0a
i = 1
2A
i =
24A
F
F
F
v = 200v
t = 125
°
C
t = 25
°
C
R
J
J
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