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资料编号:396848
 
资料名称:IRG4IBC30KD
 
文件大小: 195.54K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4IBC30KD
8 www.irf.com
一样 类型
设备 作
d.u.t.
d.u.t.
430µF
80%
的 vce
图. 18a
-
测试 电路 为 度量 的
I
LM
, e
, e
止(二极管)
, t
rr
, q
rr
, i
rr
, t
d(在)
, t
r
, t
d(止)
, t
f
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% ic
10% vce
td(止)
tf
Ic
5% ic
t1+ S
vce ic dt
90% vge
+Vge
eoff =
图. 18b
-
测试 波形 为 电路 的 图. 18a, defining
E
, t
d(止)
, t
f
vce ie dt
t2
t1
5% vce
Ic
Ipk
Vcc
10% ic
Vce
t1
t2
dut 电压
和 电流
门 电压 d.u.t.
+Vg
10% +vg
90% ic
tr
td(在)
二极管 反转
恢复 活力
tx
eon =
erec =
t4
t3
vd id dt
t4
t3
二极管 恢复
W AVEFORMS
Ic
Vpk
10% vcc
Irr
10% irr
Vcc
trr
qrr =
trr
tx
id dt
图. 18c
-
测试 波形 为 电路 的 图. 18a,
defining e
, t
d(在)
, t
r
图. 18d
-
测试 波形 为 电路 的 图. 18a,
defining e
rec
, t
rr
, q
rr
, i
rr
vc ic dt
vce ic dt
ic dt
vce ic dt
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