slvs333 − 8月 2001
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典型 特性
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
−40 −25 −10 5 20 35 50 65
uvlo − 欠压 lockout − v
欠压 lockout
vs
接合面 温度
T
J
− 接合面 温度 −
°
C
Rising
下落
80 95 110
图示 17
应用 信息
外部 电容 (所需的)东西 在 电源 线条
陶瓷的绕过 电容 (0.01-
µ
至 0.1-
µ
) 在 vin/swin1 和 地 和 swin2 和 地, 关闭 至 这
设备, 是 推荐 至 改进 加载 瞬时 回馈 和 噪音 拒绝.
大(量)电容 ( 4.7-
µ
f) 在 vin/swin1 和 地 和 在 swin2 和 地 是 也 推荐,
特别 如果 加载 过往旅客 在 这 hundreds 的 milliamps 和 快 上升 时间 是 预期.
一个 66-
µ
f 大(量) 电容 是 推荐 从 outx 至 地面, 特别 当 这 输出 加载 是 重的. 这个
precaution helps 减少 过往旅客 seen 在 这 电源 围栏. additionally, bypassing 这 输出 和 一个 0.1-
µ
F
陶瓷的 电容 改进 这 免除 的 这 设备 至 短的-电路 过往旅客.
ldo 输出 电容 (所需的)东西
Stabilizing这 内部的 控制 循环 需要 一个 输出 电容 连接 在 ldo_输出 和 地. 这
最小 推荐 电容 是 一个 4.7
µ
f 和 一个 等效串联电阻 值 在 200 m
Ω
和 10
Ω
. 固体的 tantalum
electrolytic, 铝 electrolytic 和 multilayer 陶瓷的 电容 是 所有 合适的, 提供 它们 满足 这
等效串联电阻 (所需的)东西.
这 可调整的 ldo (为 电压 更小的 比 3 v) 需要 一个 绕过 电容 横过 这 反馈 电阻 作
显示 在 图示 18. 这 值 的 这个 电容 是 决定 用 使用 这 下列的 等式:
C
f
1
(
63.7e
3
2
3.14
R1
)
4pf
在哪里 r1 是 获得 用 程序编制 这 可调整的 ldo (看 程序编制 这 可调整的 ldo 调整器
部分 显示 在下).
(1)
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