IGA03N120H2
电源 半导体
3 三月-04, rev. 2.0
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=25
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 9.2 -
上升 时间
t
r
- 5.2 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 281 -
下降 时间
t
f
- 29 -
ns
转变-在 活力
E
在
- 0.14 -
转变-止 活力
E
止
- 0.15 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=25
°
C
V
CC
=800v,
I
C
=3A
V
GE
=0v/15v
R
G
=82
Ω
L
σ
1)
=180nH
C
σ
1)
=40pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
2)
反转 恢复.
- 0.29 -
mJ
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=150
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 9.4 -
上升 时间
t
r
- 6.7 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 340 -
下降 时间
t
f
- 63 -
ns
转变-在 活力
E
在
- 0.22 -
转变-止 活力
E
止
- 0.26 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=150
°
C
V
CC
=800v,
I
C
=3A
V
GE
=0v/15v
R
G
=82
Ω
L
σ
1)
=180nH
C
σ
1)
=40pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
2)
反转 恢复.
- 0.48 -
mJ
切换 活力 zvt, inductive 加载
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-止 活力
E
止
V
CC
=800v,
I
C
=3A
V
GE
=0v/15v
R
G
=82
Ω
, c
r
1)
=4nF
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
0.05
0.09
-
-
mJ
1 )
泄漏 电感 l
σ
和 偏离 capacity c
σ
预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e
2 )
commutation 二极管 从 设备 ikp03n120h2