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IGA03N120H2
电源 半导体
8 三月-04, rev. 2.0
C
,
电容
0V 10V 20V 30V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
V
GE
,
门
-
发射级 电压
0nC 10nC 20nC 30nC
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=240V
U
CE
=960V
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
Q
GE
,
门 承担
图示 19. 典型 电容 作 一个
函数 的 集电级-发射级 电压
(
V
GE
= 0v,
f
= 1mhz)
图示 18. 典型 门 承担
(
I
C
= 3a)
Z
thJC
,
瞬时 热的 阻抗
1µs 10µs 100µs 1ms 10ms100ms 1s 10s
10
-2
k/w
10
-1
k/w
10
0
k/w
10
1
k/w
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
单独的 脉冲波
D
=0.5
t
P
,
脉冲波 宽度
图示 17. igbt 瞬时 热的
阻抗 作 一个 函数 的 脉冲波 宽度
(
D
=
t
P
/
T
)
R
,(k/w)
τ
,
(s)
1,4285 5,2404
1,8838 1,7688
0,4057 0,07592
0,4234 0,005018
0,3241 0,000595
0,1021 0,000126
0,1340 0,000018
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2

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IGA03N120H2 电源半导体 8 三月-04, rev. 2.0 C , 电容 0V 10V 20V 30V 10pF 100pF 1nF C rss C oss C iss V GE , 门 - 发射级电压 0nC 10nC 20nC 30nC 0V 5V 10V 15V 20V U CE =240V U CE =960V V CE , 集电级 - 发射级电压 Q GE , 门承担图示 19. 典型电容作一个函数的集电级-发射级电压 ( V GE = 0v, f = 1mhz) 图示 18. 典型门承担 ( I C = 3a) Z thJC , 瞬时热的阻抗 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms100ms 1s 10s 10 -2 k/w 10 -1 k/w 10 0 k/w 10 1 k/w 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 单独的脉冲波 D =0.5 t P , 脉冲波宽度图示 17. igbt 瞬时热的阻抗作一个函数的脉冲波宽度 ( D = t P / T ) R ,(k/w) τ , (s) 1,4285 5,2404 1,8838 1,7688 0,4057 0,07592 0,4234 0,005018 0,3241 0,000595 0,1021 0,000126 0,1340 0,000018 C 1 = τ 1 / R 1 R 1 R 2 C 2 = τ 2 / R 2

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