igp03n120h2, igb03n120h2
IGW03N120H2
电源 半导体
6 rev. 2, 三月-04
t
,
切换 时间
0A 2A 4A
1ns
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(在)
t
f
t
d(止)
t
,
切换 时间
0
Ω
50
Ω
100
Ω
150
Ω
1ns
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(在)
t
f
t
d(止)
I
C
,
集电级 电流
R
G
,
门 电阻
图示 9. 典型 切换 时间 作 一个
函数 的 集电级 电流
(inductive 加载,
T
j
= 150
°
c,
V
CE
= 800v,
V
GE
= +15v/0v,
R
G
= 82
Ω
,
动态 测试 电路 在 图.e)
图示 10. 典型 切换 时间 作 一个
函数 的 门 电阻
(inductive 加载,
T
j
= 150
°
c,
V
CE
= 800v,
V
GE
= +15v/0v,
I
C
= 3a,
动态 测试 电路 在 图.e)
t
,
切换 时间
25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C
1ns
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(在)
t
f
t
d(止)
V
ge(th)
,
门
-
发射级 门槛 电压
-50°c 0°C 50°C 100°C 150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
典型值
最小值
最大值
T
j
,
接合面 温度
T
j
,
接合面 温度
图示 11. 典型 切换 时间 作 一个
函数 的 接合面 温度
(inductive 加载,
V
CE
= 800v,
V
GE
= +15v/0v,
I
C
= 3a,
R
G
= 82
Ω
,
动态 测试 电路 在 图.e)
图示 12. 门-发射级 门槛 电压
作 一个 函数 的 接合面 温度
(
I
C
= 0.09ma)