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igp03n120h2, igb03n120h2
IGW03N120H2
电源 半导体
8 rev. 2, 三月-04
V
GE
,
门
-
发射级 电压
1µs 10µs 100µs 1ms 10ms 100ms
10
-2
k/w
10
-1
k/w
10
0
k/w
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
单独的 脉冲波
D
=0.5
V
GE
,
门
-
发射级 电压
0nC 10nC 20nC 30nC
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=240V
U
CE
=960V
Q
GE
,
门 承担
Q
GE
,
门 承担
图示 17. 典型 门 承担
(
I
C
= 3a)
图示 17. 典型 门 承担
(
I
C
= 3a)
C
,
电容
0V 10V 20V 30V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0V
200V
400V
600V
800V
1000V
0A
1A
2A
3A
I
CE
集电级
C
URRENT
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
t
p
,
脉冲波 宽度
图示 18. 典型 电容 作 一个
函数 的 集电级-发射级 电压
(
V
GE
= 0v,
f
= 1mhz)
图示 20. 典型 转变 止 行为, hard
切换
(v
GE
=15/0v,
R
G
=82
Ω
,
T
j
= 150
°
c,
动态 测试 电路 在 图示 e)
R
,(k/w)
τ
,
(s)
1.082517 0.000795
0.328671 0.000179
0.588811 0.004631
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2

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igp03n120h2, igb03n120h2 IGW03N120H2 电源半导体 8 rev. 2, 三月-04 V GE , 门 - 发射级电压 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms 100ms 10 -2 k/w 10 -1 k/w 10 0 k/w 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 单独的脉冲波 D =0.5 V GE , 门 - 发射级电压 0nC 10nC 20nC 30nC 0V 5V 10V 15V 20V U CE =240V U CE =960V Q GE , 门承担 Q GE , 门承担图示 17. 典型门承担 ( I C = 3a) 图示 17. 典型门承担 ( I C = 3a) C , 电容 0V 10V 20V 30V 10pF 100pF 1nF C rss C oss C iss V CE , 集电级 - 发射级电压 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0V 200V 400V 600V 800V 1000V 0A 1A 2A 3A I CE 集电级 C URRENT V CE , 集电级 - 发射级电压 t p , 脉冲波宽度图示 18. 典型电容作一个函数的集电级-发射级电压 ( V GE = 0v, f = 1mhz) 图示 20. 典型转变止行为, hard 切换 (v GE =15/0v, R G =82 Ω , T j = 150 ° c, 动态测试电路在图示 e) R ,(k/w) τ , (s) 1.082517 0.000795 0.328671 0.000179 0.588811 0.004631 C 1 = τ 1 / R 1 R 1 R 2 C 2 = τ 2 / R 2

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