igp50n60t, igb50n60t
trenchstop 序列
IGW50N60T
电源 半导体
3 rev. 2.2 dec-04
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=25
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 26 -
上升 时间
t
r
- 29 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 299 -
下降 时间
t
f
- 29 -
ns
转变-在 活力
E
在
- 1.2 -
转变-止 活力
E
止
- 1.4 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=25
°
c,
V
CC
=400v,
I
C
=50a,
V
GE
=0/15v,
R
G
= 7
Ω
,
L
σ
1)
=103nh,
C
σ
1)
=39pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
2)
- 2.6 -
mJ
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=150
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 27 -
上升 时间
t
r
- 33 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 341 -
下降 时间
t
f
- 55 -
ns
转变-在 活力
E
在
- 1.8 -
转变-止 活力
E
止
- 1.8 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=175
°
c,
V
CC
=400v,
I
C
=50a,
V
GE
=0/15v,
R
G
= 7
Ω
L
σ
1)
=103nh,
C
σ
1)
=39pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
2)
- 3.6 -
mJ
1)
泄漏 电感
L
σ
一个nd偏离 capacity
C
σ
预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e.
2)
包含 反转 恢复 losses 从 ikw50n60t 预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e.