igp50n60t, igb50n60t
trenchstop 序列
IGW50N60T
电源 半导体
6 rev. 2.2 dec-04
t,
切换 时间
0A 20A 40A 60A 80A
10ns
100ns
t
r
t
d(在)
t
f
t
d(止)
t,
切换 时间
0Ω 5Ω 10Ω 15Ω 20Ω 25Ω
10ns
100ns
t
r
t
d(在)
t
f
t
d(止)
I
C
,
集电级 电流
R
G
,
门 电阻
图示 9. 典型 切换 时间 作 一个
函数 的 集电级 电流
(inductive 加载,
T
J
=175°c,
V
CE
= 400v, v
GE
= 0/15v,
R
G
= 7
Ω
,
动态 测试 电路 在 图示 e)
图示 10. 典型 切换 时间 作 一个
函数 的 门 电阻
(inductive 加载,
T
J
= 175°c,
V
CE
= 400v, v
GE
= 0/15v,
I
C
= 50a,
动态 测试 电路 在 图示 e)
t,
切换 时间
25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C
10ns
100ns
t
r
t
d(在)
t
f
t
d(止)
V
ge(th
)
,
门
-
emitt trshold 电压
-50°c 0°C 50°C 100°C 150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
最小值
典型值
最大值
T
J
,
接合面 温度
T
J
,
接合面 温度
图示 11. 典型 切换 时间 作 一个
函数 的 接合面 温度
(inductive 加载,
V
CE
= 400v,
V
GE
= 0/15v,
I
C
= 50a,
R
G
=7
Ω
,
动态 测试 电路 在 图示 e)
图示 12. 门-发射级 门槛 电压 作
一个 函数 的 接合面 温度
(
I
C
= 0.8ma)