igp50n60t, igb50n60t
trenchstop 序列
IGW50N60T
电源 半导体
7 rev. 2.2 dec-04
E
,
切换 活力 losses
0A 20A 40A 60A 80A
0.0mj
2.0mj
4.0mj
6.0mj
8.0mj
E
ts
*
E
止
*)
E
在
和
E
ts
包含 losses
预定的 至 二极管 恢复
E
在
*
E
,
切换 活力 losses
0Ω 10Ω 20Ω
0.0mj
1.0mj
2.0mj
3.0mj
4.0mj
5.0mj
6.0mj
E
ts
*
E
止
*)
E
在
和
E
ts
包含 losses
预定的 至 二极管 恢复
E
在
*
I
C
,
集电级 电流
R
G
,
门 电阻
图示 13. 典型 切换 活力 losses
作 一个 函数 的 集电级 电流
(inductive 加载,
T
J
= 175°c,
V
CE
= 400v, v
GE
= 0/15v,
R
G
= 7
Ω
,
动态 测试 电路 在 图示 e)
图示 14. 典型 切换 活力 losses
作 一个 函数 的 门 电阻
(inductive 加载,
T
J
= 175°c,
V
CE
= 400v, v
GE
= 0/15v,
I
C
= 50a,
动态 测试 电路 在 图示 e)
E
,
切换 活力 losses
25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C
0.0mj
1.0mj
2.0mj
3.0mj
E
ts
*
E
止
*)
E
在
和
E
ts
包含 losses
预定的 至 二极管 恢复
E
在
*
E
,
切换 活力 losses
300V 350V 400V 450V 500V 550V
0mJ
1mJ
2mJ
3mJ
4mJ
E
ts
*
E
在
*
*)
E
在
和
E
ts
包含 losses
预定的 至 二极管 恢复
E
止
T
J
,
接合面 温度
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
图示 15. 典型 切换 活力 losses
作 一个 函数 的 接合面
温度
(inductive 加载,
V
CE
= 400v,
V
GE
= 0/15v,
I
C
= 50a,
R
G
= 7
Ω
,
动态 测试 电路 在 图示 e)
图示 16. 典型 切换 活力 losses
作 一个 函数 的 集电级 发射级
电压
(inductive 加载,
T
J
= 175°c,
V
GE
= 0/15v,
I
C
= 50a,
R
G
= 7
Ω
,
动态 测试 电路 在 图示 e)