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资料编号:400836
资料名称:
IGP50N60T
文件大小: 402.03K
说明
:
介绍
:
LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
: 点此下载
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5
6
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8
9
10
11
12
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
igp50n60t, igb50n60t
trenchstop 序列
IGW50N60T
电源 半导体
8
rev. 2.2 dec-04
V
GE
,
门
-
发射级 电压
0nC
100nC
200nC
300nC
0V
5V
10V
15V
480V
120V
c,
电容
0V
10V
20V
30V
40V
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
门 承担
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
图示 17. 典型 门 承担
(
I
C
=50 一个)
图示 18. 典型 电容 作 一个 函数
的 集电级-发射级 电压
(
V
GE
=0v,
f
= 1 mhz)
I
c(
sc
)
, 短的 电路
集电级 电流
12V
14V
16V
18V
0A
100A
200A
300A
400A
500A
600A
700A
800A
t
SC
,
短的 电路 承受 时间
10V
11V
12V
13V
14V
0µs
2µs
4µs
6µs
8µs
10µs
12µs
V
GE
,
门
-
emittetr 电压
V
GE
,
门
-
emitetr 电压
图示 19. 典型 短的 电路 集电级
电流 作 一个 函数 的 门-
发射级 电压
(
V
CE
≤
400v,
T
j
≤
150
°
c)
图示 20. 短的 电路 承受 时间 作 一个
函数 的 门-发射级 电压
(
V
CE
=600V
,
开始 在
T
J
=
25°c,
T
Jmax
<150°c)
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